根管治疗术的原理是通过清创、化学和机械预备彻底除去根管内感染源,并严密充填根管以促进根尖周病变的愈合或防止发生根尖周病变。为了能达到“彻底消灭根管内感染源”和“严密充填根管,防止再感染”的目的,许多学者进行大量的医学科学的基础研究,与根管治疗技术有关的研究简要归纳如下:
1. 根管内微生物学研究:
随着厌氧培养和厌氧菌分析鉴定技术的进步,已确定厌氧菌是感染根管内的优势菌,约占2/ 3 以上;厌氧菌中以革兰阴性菌最多,如产黑色素类杆菌群、不产黑色素类杆菌群和梭杆菌属等。根管治疗的主要任务就是去除根管内的感染源。虽然根管内细菌培养阴性已不作为根管充填前的常规检查,但从根管治疗效果来看,根管预备后细菌培养阴性者的成功率高于阳性者 。当患根尖炎的感染根管经过化学和机械预备后,根管内残留的细菌85 %是革兰阳性菌,偶见革兰阴性厌氧菌。根管治疗期间急症的发生率为1. 5 %～22. 0 % , 原因包括不完善的根管预备、感染物挤出根尖孔及根管内氧化还原电位的变化致使兼性厌氧菌数量的急剧增多。有研究表明,根管治疗失败伴有根尖透射区的患牙, 根管内细菌培养分离最多的是专性厌氧菌(42. 6 %) 。与根管内微生物相关的研究还包括根管内冲洗剂和消毒剂的大量研究。上述研究结果均表明,根管内感染源的控制是根管治疗成功的首要条件。
2. 根管系统类型的研究:
Vertucci根据根管和根尖孔的分布将根管类型分为Ⅲ类8 分类;岳保利和吴友农根据中国人1 769 个透明恒牙标本描述了各牙位错综复杂的根管解剖形态,并按根管口和根尖孔的分布将根管系统分为7 型;上颌磨牙近中颊第二根管自1925 年首次报道以来有关文献颇多,由于研究方法不同,近中颊根第二根管(MB2 )的检出率为38. 0 %～95. 2 %。下颌第二磨牙“C”型根管的发生率文献报道不一,国内报道为15. 8 %～45. 5 % ,并有详细的分型。不同根管类型的预备和充填方法均有其特殊性,因此上述研究资料对提高根管治疗的质量起了重要作用。
3. 有关根管壁玷污层(smear layer) 的研究:
玷污层是指根管预备时压贴在根管壁上的由细菌、坏死组织及扩锉下来的牙本质碎屑组成的混合物。玷污层厚度约2～5μm ,可贴附在牙本质表面,也可能深入到牙本质小管内。玷污层的存在可以阻止或延迟消毒剂对牙本质小管中细菌的作用,妨碍根充材料与根管壁的渗透和紧密贴合;玷污层可以是根管治疗过程中或充填后微生物生长和定植的底物,也可以是微渗漏的通道。因此
